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直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):15A 正向压降(Vf):410mV@15A
类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):3.6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,2.2A N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):520W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.7mΩ@10V,81A N沟道,200V,130A,9.7mΩ@···
IGBT类型:沟槽场截止 功率(Pd):555W 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):80A IGBT,1200V,40A,场截止沟槽 安森美半导体的新型场截止沟槽···
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):250mA 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16Ω@10V,500mA N沟道,800V,250mA,16Ω@···