ch
English
IRF7380TRPBF 贴片N沟道 场效应管 SOIC8
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：80V
连续漏极电流(Id)：3.6A
功率(Pd)：2W 导
通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,2.2A
N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：80V
连续漏极电流(Id)：3.6A
功率(Pd)：2W 导
通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,2.2A
N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
产品状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 80V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 73 毫欧 @ 2.2A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 660pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 2W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
手机 : 86-755-83249978
电话 :
传真 : 86-755-83209309
地址 : 深圳市福田区华航社区中航路18号国利大厦840