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IRFP4668PBF 场效应管 200V 130A 520W TO247AC
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：200V
连续漏极电流(Id)：130A
功率(Pd)：520W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@10V,81A
N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：200V
连续漏极电流(Id)：130A
功率(Pd)：520W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@10V,81A
N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.7 毫欧 @ 81A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 241 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10720 pF @ 50 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 520W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247AC | |
封装/外壳 | TO-247-3 |
手机 : 86-755-83249978
电话 :
传真 : 86-755-83209309
地址 : 深圳市福田区华航社区中航路18号国利大厦840