FGH40T120SMD IGBT 晶体管 N-CH 1200V 80A TO−247

IGBT类型：沟槽场截止 

功率(Pd)：555W 

集射极击穿电压(Vces)：1.2kV

 集电极电流(Ic)：80A IGBT，1200V，40A，场截止沟槽 

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，

为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。