直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：410mV@15A

类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：3.6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,2.2A N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：520W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@10V,81A N沟道,200V,130A,9.7mΩ@···

IGBT类型：沟槽场截止 功率(Pd)：555W 集射极击穿电压(Vces)：1.2kV 集电极电流(Ic)：80A IGBT，1200V，40A，场截止沟槽 安森美半导体的新型场截止沟槽···

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16Ω@10V,500mA N沟道,800V,250mA,16Ω@···